Level Cell。它一个单元中只有0和1两种变化，只能存储1bit的数据。
它的优点是快? 稳定性好，寿命长——理论上可以达到十万次完全擦写的寿命。
但确点也很明显? 容量低? 成本高。在后世? 能用到它的场景只有极端环境下的工业领域和其他不计成本的领域。
然而，成本向来是阻止一种科技产品普及的最大拦路石，也是最容易被搞定的拦路石。
于是几年后，Intel就搞定了新的架构，MLC——Multi Level Cell。
相比SLC，它的每个cell单元能存储2bit信息。
相应的，它的制程就更复杂，同时可靠性也读写速度也降低了，使用寿命更是以指数方式下降。
但就算如此，它的价格依旧略显昂贵，并未给闪存带来真正意义上的普及。
真正让闪存普及的，其实是TLC——Trinary Level Cell，翻译过来就是三重单元。
它每个cell单元能存储3bit信息，需要更复杂的制程和电压控制。
缺点一如既往。
然而，它却是让闪存走进千家万户的绝对功臣。
以至于，到了后面还诞生了QLC——每个cell单元能存储4bit信息，容量更大，但更慢，寿命更短，但成本也能压缩到更低。
并且，来自后世的苏远山知道，在闪存产品的发展过程中，闪存的架构只是制约产品读写速度的因素之一，甚至都不是最大的因素。
最大的因素其实是数据传输的接口协议标准，其次主控芯片和相关技术，最后才轮得到架构。
就像即将诞生的USB1.0协议，虽然在远芯和星海的倡议下，采取了比较激进的方案，全速状态下也只有48Mbps的传输速率——这已经是历史上12Mbps的四倍了。
在这种协议下，就算你用最牛逼的主控芯片和最牛逼的闪存颗粒，它也慢。
因此，闪存的未来，还得靠协议，主控，颗粒架构，这三方面来同时推进。
……
苏远山这次过来，主要便是要给老李这边指出两个方向。
第一个方向是把单层结构变成多层，这样就可以在单位面积上堆尽可能多的晶体管。
第二个方向自然便是MLC了。
很凑巧，这两个方向的相关基础技术和原理……苏远山都了解。
但烦躁的是，他不知道要如何才能巧妙地引导李明柳他们往正确的路上走。
正如他对他的师兄们的态度一样，李明柳他们也是远芯得基石，是有大用途的。除非万不得已，苏远山是不可能亲自抛出方案，然后等着这些人给自己鼓掌的。
那样对远芯没有任何好处。
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